G4S12020BM
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| 產(chǎn)品型號 | G4S12020BM |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technology |
| 產(chǎn)品介紹 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P 我們努力為客戶提供 Global Power Technology品牌的產(chǎn)品G4S12020BM 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
|---|---|---|---|
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 33.2A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 μA @ 1200 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
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