G4S06516BT
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產(chǎn)品型號 | G4S06516BT |
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制造商 | Global Power Technology |
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Product parameter
Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
---|---|---|---|
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 25.9A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 650 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247AB |
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