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G4S06516BT

G4S06516BT
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產(chǎn)品型號 G4S06516BT
制造商 Global Power Technology
產(chǎn)品介紹 SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)25.9A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr50 μA @ 650 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247AB

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