GHXS050B065S-D3
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產(chǎn)品型號 | GHXS050B065S-D3 |
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制造商 | SemiQ |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Diode Configuration | 2 Independent |
---|---|---|---|
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 95A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 50 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 125 μA @ 650 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package | SOT-227 |
GHXS050B065S-D3 相關(guān)的關(guān)鍵詞
GHXS050B065S-D3是一款高性能、可靠性強(qiáng)的二極管陣列
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