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G3S12005D

G3S12005D
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產(chǎn)品型號 G3S12005D
制造商 Global Power Technology Co. Lt
產(chǎn)品介紹 DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO263
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)34A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F475pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device PackageTO-263
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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