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G3S12003H

G3S12003H
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產(chǎn)品型號 G3S12003H
制造商 Global Power Technology Co. Lt
產(chǎn)品介紹 DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)9A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 3 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr100 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F260pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Full Pack Supplier Device PackageTO-220F
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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