G3S12002C
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| 產(chǎn)品型號 | G3S12002C |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technology Co. Lt |
| 產(chǎn)品介紹 | DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252 我們努力為客戶提供 Global Power Technology Co. Lt品牌的產(chǎn)品G3S12002C 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | Current - Average Rectified (Io) | 8.8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 170pF @ 0V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Supplier Device Package | TO-252 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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