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ES1JL RHG

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產(chǎn)品型號 ES1JL RHG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 1 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 μA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F8pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDO-219AB Supplier Device PackageSub SMA
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

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