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UGB8DT-E3/45

UGB8DT-E3/45
Vishay General Semiconductor –圖片僅供參考。
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產(chǎn)品型號 UGB8DT-E3/45
制造商 Vishay General Semiconductor –
產(chǎn)品介紹 DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V Current - Average Rectified (Io)8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 8 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30 ns Current - Reverse Leakage @ Vr10 μA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device PackageTO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

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