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G3S12020P

G3S12020P
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產(chǎn)品型號(hào) G3S12020P
制造商 Global Power Technology
產(chǎn)品介紹 DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247AC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)64.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 20 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F2600pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-2 Supplier Device PackageTO-247AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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