G4S06508JT
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| 產(chǎn)品型號 | G4S06508JT |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technology |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 23.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 395pF @ 0V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 Isolated Tab | Supplier Device Package | TO-220ISO |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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