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CBR08P65D

CBR08P65D
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產(chǎn)品型號 CBR08P65D
制造商 Bruckewell
產(chǎn)品介紹 SIC SCHOTTKY DIODE,650V,8A,TO-25
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)29A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr25 μA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageTO-252-2L
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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