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1N3767R

1N3767R
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產(chǎn)品型號(hào) 1N3767R
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)900 V Current - Average Rectified (Io)35A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 35 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr10 μA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeChassis, Stud Mount
Package / CaseDO-203AB, DO-5, Stud Supplier Device PackageDO-5
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 190°C

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