1N1190R
GeneSiC Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | 1N1190R |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 我們努力為客戶提供 GeneSiC Semiconductor品牌的產(chǎn)品1N1190R 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | Standard, Reverse Polarity |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 35 A | Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 μA @ 50 V |
| Capacitance @ Vr, F | - | Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud | Supplier Device Package | DO-5 |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
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