WNSC2D08650DJ
WeEn Semiconductors Co., Ltd圖片僅供參考。
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| 產品型號 | WNSC2D08650DJ |
|---|---|
| 制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| 產品介紹 | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK 我們努力為客戶提供 WeEn Semiconductors Co., Ltd品牌的產品WNSC2D08650DJ 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網 www.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數
- pdf參數資料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 μA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Supplier Device Package | DPAK |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
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