GD30MPS06J
GeneSiC Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | GD30MPS06J |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 我們努力為客戶(hù)提供 GeneSiC Semiconductor品牌的產(chǎn)品GD30MPS06J 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷(xiāo)售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 51A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | - |
| Capacitance @ Vr, F | 735pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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