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GD10MPS12H

GD10MPS12H
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產(chǎn)品型號(hào) GD10MPS12H
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If- SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr-
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-2 Supplier Device PackageTO-247-2
Operating Temperature - Junction175°C

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