NE85639R-T1
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產(chǎn)品型號 | NE85639R-T1 |
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制造商 | CEL (California Eastern Labora |
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Product parameter
Product Status | Obsolete | Transistor Type | NPN |
---|---|---|---|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V | Frequency - Transition | 9GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz | Gain | 13.5dB |
Power - Max | 200mW | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | SOT-143R |
Supplier Device Package | SOT-143R |
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