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MX0912B251Y

MX0912B251Y
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產(chǎn)品型號 MX0912B251Y
制造商 Rochester Electronics
產(chǎn)品介紹 MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW
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Product parameter

Product StatusObsolete Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V Frequency - Transition1.215GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)- Gain8dB
Power - Max690W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Current - Collector (Ic) (Max)15A Operating Temperature-
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSOT-439A
Supplier Device PackageCDFM2

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