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MMBT3904

MMBT3904
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產(chǎn)品型號 MMBT3904
制造商 Anbon Semiconductor
產(chǎn)品介紹 200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max)50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V Power - Max300 mW
Frequency - Transition250MHz Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23

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