CTLDM8120-M832DS TR
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產(chǎn)品型號 | CTLDM8120-M832DS TR |
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制造商 | Central Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 P-Channel (Dual) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
Power - Max | 1.65W | Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | TLM832DS |
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