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CTLDM8120-M832DS TR

CTLDM8120-M832DS TR
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產(chǎn)品型號 CTLDM8120-M832DS TR
制造商 Central Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET DUAL N-CHANNEL
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.56nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 16V
Power - Max1.65W Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-TDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageTLM832DS

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