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PAA12400BM3

PAA12400BM3
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產(chǎn)品型號 PAA12400BM3
制造商 PN Junction Semiconductor
產(chǎn)品介紹 1200V HALF-BRIDGE
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 300A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds29.5pF @ 1000V
Power - Max- Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseModule
Supplier Device PackageModule

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