G09N06S2
Goford Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | G09N06S2 |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | N+N 60V,9A,RD<18M@10V,VTH1.2V~2. 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產(chǎn)品G09N06S2 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
|---|---|---|---|
| Configuration | 2 N-Channel | FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 30V |
| Power - Max | 2.6W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
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