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GT060N04D52

GT060N04D52
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產(chǎn)品型號 GT060N04D52
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 DUAL N40V,62A,RD<6.5M@10V,VTH1.0
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1276pF @ 20V
Power - Max20W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-DFN (4.9x5.75)

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