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G180N06S2

G180N06S2
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產(chǎn)品型號 G180N06S2
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET, N-CH, 60V,8A,SOP-8DUAL
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2330pF @ 30V
Power - Max2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

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