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FDC6320C

FDC6320C
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產品型號 FDC6320C
制造商 Fairchild Semiconductor
產品介紹 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA, 120mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Power - Max700mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT?-6

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