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G05NP04S

G05NP04S
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產(chǎn)品型號 G05NP04S
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N/P 40V,4.5A/-10A,RD(MAX)<41M/37
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration- FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 1A, 10V, 37mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 10V, 13nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds516pF @ 20V, 520pF @ 20V
Power - Max2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

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