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MSCSM170AM029CT6LIAG

MSCSM170AM029CT6LIAG
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產(chǎn)品型號(hào) MSCSM170AM029CT6LIAG
制造商 Microchip Technology
產(chǎn)品介紹 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N Channel (Phase Leg) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C676A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.75mOhm @ 360A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2136nC @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds39600pF @ 1000V
Power - Max3kW (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseModule
Supplier Device Package-

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