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RMD0A8P20ES9

RMD0A8P20ES9
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產(chǎn)品型號(hào) RMD0A8P20ES9
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2 P-CH 20V 800MA SOT363
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.0018C @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 10V
Power - Max800mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSOT-363-6L

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