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RM2020ES9

RM2020ES9
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產(chǎn)品型號(hào) RM2020ES9
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N&P-CH 20V SOT363
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C750mA (Ta), 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA, 1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.0018nC @ 10V, 0.75nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 10V, 120pF @ 16V
Power - Max150mW (Ta), 800mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSOT-363-6L

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