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QH8MA2TCR

QH8MA2TCR
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產(chǎn)品型號 QH8MA2TCR
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds365pF @ 10V
Power - Max1.25W Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

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