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PMDPB30XN,115

PMDPB30XN,115
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產(chǎn)品型號(hào) PMDPB30XN,115
制造商 Nexperia
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 10V
Power - Max490mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-HUSON (2x2)

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