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FDS4501H

FDS4501H
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產(chǎn)品型號 FDS4501H
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.3A, 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1958pF @ 10V
Power - Max1W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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