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VT6K1T2CR

VT6K1T2CR
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產(chǎn)品型號 VT6K1T2CR
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate, 1.2V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7.1pF @ 10V
Power - Max120mW Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageVMT6

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