FDG6306P
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產(chǎn)品型號 | FDG6306P |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Last Time Buy | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
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Configuration | 2 P-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 600mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 114pF @ 10V |
Power - Max | 300mW | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
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