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EPC2105

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產(chǎn)品型號 EPC2105
制造商 EPC
產(chǎn)品介紹 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Power - Max- Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

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