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EPC2111

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產品型號 EPC2111
制造商 EPC
產品介紹 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Power - Max- Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

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