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TSM5055DCR RLG

TSM5055DCR RLG
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產(chǎn)品型號(hào) TSM5055DCR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 30V, 107A, DUAL N-CHANNEL POWER
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
Power - Max2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PDFN (5x6)

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