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TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG
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產(chǎn)品型號(hào) TSM250NB06LDCR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1314pF @ 30V
Power - Max2W (Ta), 48W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PDFN (5x6)

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