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TSM085NB03DCR RLG

TSM085NB03DCR RLG
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產(chǎn)品型號 TSM085NB03DCR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 30V, 51A, DUAL N-CHANNEL POWER M
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1091pF @ 15V
Power - Max2W (Ta), 40W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PDFNU (5x6)

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