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NP16N06QLK-E1-AY

NP16N06QLK-E1-AY
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產(chǎn)品型號(hào) NP16N06QLK-E1-AY
制造商 Renesas Electronics Corporatio
產(chǎn)品介紹 POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 25V
Power - Max1W (Ta), 25W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerLDFN
Supplier Device Package8-HSON (5x5.4)

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