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IPG20N04S4L08AATMA1

IPG20N04S4L08AATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPG20N04S4L08AATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 22μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050pF @ 25V
Power - Max54W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-10

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