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TSM8588CS RLG

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產(chǎn)品型號 TSM8588CS RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 COMPLEMENTARY N & P-CHANNEL POWE
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel Complementary FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds527pF @ 30V, 436pF @ 30V
Power - Max1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

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