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TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG
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產(chǎn)品型號 TSM200N03DPQ33 RGG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds345pF @ 25V
Power - Max20W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-PDFN (3x3)

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