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SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3
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產(chǎn)品型號(hào) SI4559ADY-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A, 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 15V
Power - Max3.1W, 3.4W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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