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HUF76113DK8T

HUF76113DK8T
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產(chǎn)品型號(hào) HUF76113DK8T
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.2nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds605pF @ 25V
Power - Max2.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Supplier Device PackageUS8

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