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IPG16N10S461AATMA1

IPG16N10S461AATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPG16N10S461AATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 9μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 25V
Power - Max29W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-10

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