EFC6601R-TR
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產品型號 | EFC6601R-TR |
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制造商 | onsemi |
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- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Power - Max | 2W | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-XFBGA, FCBGA |
Supplier Device Package | EFCP2718-6CE-020 |
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