NTGD4167CT1G
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產(chǎn)品型號(hào) | NTGD4167CT1G |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | N and P-Channel | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A, 1.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
Power - Max | 900mW | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
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