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SSM6N813R,LF

SSM6N813R,LF
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產(chǎn)品型號 SSM6N813R,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds242pF @ 15V
Power - Max1.5W (Ta) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package6-TSOP-F

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