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SSM6L820R,LF

SSM6L820R,LF
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產(chǎn)品型號 SSM6L820R,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+P-CH VD
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Power - Max1.4W (Ta) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package6-TSOP-F

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